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5SDF10H4503銷售全新平板二極管整流管

更新時間:2025-09-04 [舉報]
平板可控硅晶閘管

5SDF10H4503銷售全新平板二極管 整流管

整流二極管是一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個PN結(jié),有正極和負極兩個端子。整流二極管是利用PN結(jié) 的單向?qū)щ娞匦?,把交流電變成脈動直流電。整流二極管流電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外,還有大 整流電流,是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項用整流二極管的主要依據(jù)。整流二極管一般為平面型硅二極管,用于各種電源整流電路中。


正向性

外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用

,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當

正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場被克服,二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓而迅速上

升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的

正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值  ,內(nèi)電場很快被削弱,特性電流迅速增長

,二極管正向?qū)ā?nbsp; 叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的

正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。


反向性

外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運動所形成反向電流。

由于反向電流很小,二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,二極

管的反向飽和電流受溫度影響很大。一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽

和電流在nA數(shù)量級,小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時,半導體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)

目增加,反向飽和電流也隨之增加

擊穿

外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨

界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦浴H绻O管沒有因電擊穿

而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞黄茐模诔烦饧与妷汉?,其性能仍可恢復,否則

二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。

二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷须娮佣O管和晶體二極管之分,電子二極管因為燈

絲的熱損耗,效率比晶體二極管低,所以現(xiàn)已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。

二極管的單向?qū)щ娞匦裕瑤缀踉谒械碾娮与娐分?,都要用到半導體二極管,它在許多的電路

中起著重要的作用,它是誕生早的半導體器件之一,其應用也非常廣泛。

二極管的管壓降:硅二極管(不發(fā)光類型)正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二

極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發(fā)光

二極管的壓降為2.0--2.2V,發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V,綠色發(fā)光二極管的壓降為

3.0—3.2V,正常發(fā)光時的額定電流約為20mA

二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應的電阻。


晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并

建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場

引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互

相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和

自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。

當外加的反向電壓高到一定程度時,pn結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍

增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn

結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分


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